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MRF586 技術仕様
TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 17V |
Supplier Device Package | TO-39 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Through Hole |
Frequency - Transition | 3GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 13.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
MRF586 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MRF586
-
データシート
MRF586.pdf
その他には以下が含まれます: "MRF58" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MRF58'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MRF580 | MOTO | 特殊なホットIC | 10 |
MRF580A | MOT | 特殊なホットIC | 10 |
MRF581 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 9426 |
MRF581 | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ | |
MRF5811T1G | ON | 特殊なホットIC | 3600 |
MRF5812 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2663 |
MRF5812 | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ | |
MRF5812G | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 7400 |
MRF5812G | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ | |
MRF5812GR1 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2629 |
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