1N456ATR 技術仕様

DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA
Supplier Device Package DO-35
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names 1N456ACT
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25nA @ 25V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
Operating Temperature - Junction 175°C (Max)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 30V 500mA Through Hole DO-35
Current - Average Rectified (Io) 500mA
Base Part Number 1N456
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1N4560A Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2547
1N4560B Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2682
1N4560RB Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2552
1N4561A Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2500
1N4561B Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2568
1N4561RB Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2596
1N4562A Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2623
1N4562B Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2589
1N4562B Microsemi Corporation ツェナーダイオード
1N4562RB Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2548

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