2N3417_D75Z 技術仕様

TRANS NPN 50V 0.5A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number 2N3417
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
2N3415 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2991
2N3415 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 3097
2N3415 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 16321
2N3415 Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N3415 PBFREE Central Semiconductor Corp 単一BJTトランジスタ
2N3415_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2698
2N3415_D26Z Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2686
2N3415_D27Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
2N3415_D27Z Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2691
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