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2N5307 技術仕様

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number 2N5307
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 200µA, 200mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
2N5301 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2646
2N5301 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2730
2N5301 PBFREE Central Semiconductor Corp 単一BJTトランジスタ
2N5302 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
2N5302 Microsemi Corporation 単一BJTトランジスタ
2N5302G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2549
2N5302G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N5303 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2534
2N5303 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2664
2N5303 PBFREE Central Semiconductor Corp 単一BJTトランジスタ

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2N5307 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, 2N5307 参考価格. 2N5307 パラメーター, 2N5307 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N5307 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N5307 ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N5307 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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