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2N6427_D27Z 技術仕様

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Base Part Number 2N6427
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 14000 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
2N6426 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 51828
2N6426 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 51828
2N6426 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 51828
2N6426 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6426G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2788
2N6426G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6426G Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N6426RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2696
2N6426RLRA ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N6426RLRA Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ

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2N6427_D27Z ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, 2N6427_D27Z 参考価格. 2N6427_D27Z パラメーター, 2N6427_D27Z データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N6427_D27Z プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N6427_D27Z ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N6427_D27Z エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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