BC33716 技術仕様

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Base Part Number BC337
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BC337 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 1396
BC337 Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
BC337 TO92 KEC 特殊なIC 5475
BC337,112 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2642
BC337,116 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2594
BC337,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2761
BC337-016G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2786
BC337-016G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
BC337-025 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2558
BC337-025 ON Semiconductor BC337-025

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