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BD159G 技術仕様
TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 20W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
BD159G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BD159G
-
データシート
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その他には以下が含まれます: "BD159" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BD159 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2663 |
BD159 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
BD159G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
BD159STU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 529 |
BD159STU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 6274 |
BD159STU | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ |
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