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BD681G 技術仕様
TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 40W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
BD681G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BD681G
-
データシート
BD681G.pdf
その他には以下が含まれます: "BD681" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BD681'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BD681 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 5371 |
BD681 | STMicroelectronics | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 92377 |
BD681 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
BD681 IC | ST | 特殊なホットIC | 30330 |
BD681/BD682 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 100318 |
BD681/SOT-89 | UTG | 特殊なホットIC | 2567 |
BD681G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
BD681S | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2692 |
BD681S | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2540 |
BD681S | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ |
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輸送方法 | ||
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