BD810 技術仕様

TRANS PNP 80V 10A TO-220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 90W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 1.5MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BD810 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
BD81000MUV-E2 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 947
BD81002MUV LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 174
BD8100CS_L2_00001 PANJIT 特殊なホットIC 10000
BD8100FV-E2 ROHM 特殊なホットIC 2603
BD8100S_L2_00001 PANJIT 特殊なホットIC 10000
BD8100YS_L2_00001 PANJIT 特殊なホットIC 10000
BD81010MUV-E2 LAPIS Semiconductor リニア - ビデオ処理 3005
BD81010MUV-E2 ROHM 特殊なホットIC 2164
BD81010MUV-E2 ROHM Semiconductor ビデオ処理リニアIC

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