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BU807 技術仕様
TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 60W |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 5A |
Supplier Device Package | TO-220 |
Packaging | Bulk |
Other Names | BU807-ND BU807FS |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 8A 60W Through Hole TO-220 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
Base Part Number | BU807 |
BU807 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BU807
-
データシート
2.BU807.pdf 1.BU807.pdf
その他には以下が含まれます: "BU807" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BU807'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BU807 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2881 |
BU807 | STMicroelectronics | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2328 |
BU807 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
BU807TU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2742 |
BU807TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2532 |
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輸送方法 | ||
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