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DTA123JET1G
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DTA123JET1G 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DTA123JET1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTA123JET1G
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データシート
DTA123JET1G.pdf
その他には以下が含まれます: "DTA12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTA12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTA123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2553 |
DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EE | ROHM | 特殊なホットIC | 3432 |
DTA123EE TL | ROHM | 特殊なホットIC | 6010 |
DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EEFRATL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EEFTL | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1479 |
DTA123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 598 |
DTA123EET1 | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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DTA123JET1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, DTA123JET1G 参考価格. DTA123JET1G パラメーター, DTA123JET1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTA123JET1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTA123JET1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTA123JET1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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