FCB110N65F 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FRFET®, SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 17.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCB110N65FTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4895pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FCB110N65F Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 551
FCB110N65F ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FCB110N65F MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 502
FCB11N60 FSC 特殊なホットIC 18736
FCB11N60 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 366
FCB11N60F Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 32363
FCB11N60FTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37378
FCB11N60FTM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37378
FCB11N60TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1623
FCB11N60TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 39421

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