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FDB039N06 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8235pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDB039N06TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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FDB0300N1007L Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2631
FDB0300N1007L AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2757
FDB0300N1007L ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB031N08 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34906
FDB031N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34906
FDB031N08 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB031N08 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 1249
FDB035AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 40766
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FDB039N06 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB039N06 参考価格. FDB039N06 パラメーター, FDB039N06 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB039N06 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB039N06 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB039N06 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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