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FDB2670 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263AB
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FDB2614 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1241
FDB2614 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 42506
FDB2614 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB2614 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 705
FDB2670 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 715

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FDB2670 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB2670 参考価格. FDB2670 パラメーター, FDB2670 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB2670 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB2670 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB2670 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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