FDM606P 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.92W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
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FDM606P Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2054
FDM606P-NL FAIRCHILD 特殊なホットIC 3317

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