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FDU3580
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FDU3580 技術仕様
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7.7A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 80V 7.7A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
FDU3580 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください FDU3580
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データシート
FDU3580.pdf
その他には以下が含まれます: "FDU35" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FDU35'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FDU3580 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2601 |
FDU3580 | Rochester Electronics, LLC | 単一MOSFETトランジスタ |
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FDU3580 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDU3580 参考価格. FDU3580 パラメーター, FDU3580 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDU3580 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDU3580 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDU3580 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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