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FGA6540WDF
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FGA6540WDF 技術仕様
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
Switching Energy | 1.37mJ (on), 250µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 101ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 55.5nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Td (on/off) @ 25°C | 16.8ns/54.4ns |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Power - Max | 238W |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Detailed Description | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
FGA6540WDF 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FGA6530WDF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2555 |
FGA6530WDF | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2723 |
FGA6530WDF | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
FGA6540WDF | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2779 |
FGA6540WDF | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
FGA6560WDF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2935 |
FGA6560WDF | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2352 |
FGA6560WDF | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
FGA6560WDF IGBT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 481 |
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