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FGP30N6S2 技術仕様

IGBT 600V 45A 167W TO220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 55µJ (on), 100µJ (off)
Power - Max 167W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 23nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 108A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A
Td (on/off) @ 25°C 6ns/40ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Other Names FGP30N6S2_NL FGP30N6S2_NL-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FGP3040G2 Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 491
FGP3040G2-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2588
FGP3040G2-F085 ON Semiconductor 単一IGBT
FGP3040G2_F085 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2773
FGP30B-E3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 0
FGP30B-E3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2749
FGP30B-E3/73 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2686
FGP30B-E3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 0
FGP30BHE3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2585
FGP30BHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2725

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FGP30N6S2 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FGP30N6S2 参考価格. FGP30N6S2 パラメーター, FGP30N6S2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FGP30N6S2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FGP30N6S2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FGP30N6S2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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