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FJNS3203RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2729
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FJNS3201RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2690
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FJNS3203RBU ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJNS3203RBU 参考価格. FJNS3203RBU パラメーター, FJNS3203RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJNS3203RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJNS3203RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJNS3203RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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