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FJV3107RMTF 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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FJV3101RLIMTF FAIRCHI 特殊なホットIC 4101
FJV3101RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 993875
FJV3101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 993875
FJV3101RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV3103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 132094
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FJV3107RMTF ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJV3107RMTF 参考価格. FJV3107RMTF パラメーター, FJV3107RMTF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJV3107RMTF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJV3107RMTF ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJV3107RMTF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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