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FQB4N20TM 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FQB4N20TMCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQB4N20 VB 特殊なホットIC 32978
FQB4N20L VB 特殊なホットIC 37363
FQB4N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
FQB4N20LTM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
FQB4N20TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
FQB4N25TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
FQB4N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
FQB4N2OTM VB 特殊なホットIC 34226
FQB4N50 VB 特殊なホットIC 34104
FQB4N50TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363

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FQB4N20TM ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQB4N20TM 参考価格. FQB4N20TM パラメーター, FQB4N20TM データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQB4N20TM プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQB4N20TM ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQB4N20TM エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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