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FQB7N10LTM 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 3.65A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 7.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQB7N10 Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 6090
FQB7N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 6457
FQB7N10L VB 特殊なホットIC 701
FQB7N10LTM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2500
FQB7N10TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2629
FQB7N10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2555
FQB7N10TM Rochester Electronics, LLC FQB7N10TM
FQB7N20 FAIRC 特殊なホットIC 12000
FQB7N20L VB 特殊なホットIC 17700
FQB7N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2602

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FQB7N10LTM ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQB7N10LTM 参考価格. FQB7N10LTM パラメーター, FQB7N10LTM データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQB7N10LTM プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQB7N10LTM ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQB7N10LTM エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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