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FQI13N06LTU 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 6.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQI13N06 VB 特殊なホットIC 2000
FQI13N06L VB 特殊なホットIC 2000
FQI13N06LTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2557
FQI13N06TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2504
FQI13N06TU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2596
FQI13N10L FSC 特殊なホットIC 2513
FQI13N50 FSC 特殊なホットIC 2568
FQI13N50C FAIRCHI 特殊なホットIC 2659
FQI13N50CTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1411
FQI13N50CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1256

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FQI13N06LTU ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQI13N06LTU 参考価格. FQI13N06LTU パラメーター, FQI13N06LTU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQI13N06LTU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQI13N06LTU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQI13N06LTU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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