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HGTG18N120BN 技術仕様

IGBT 1200V 54A 390W TO247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 18A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Power - Max 390W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/170ns
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 165nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 165A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
HGTG10N120BN Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 487
HGTG10N120BND Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1488
HGTG10N120BND AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 8117
HGTG10N120BND ON Semiconductor 単一IGBT
HGTG11N120CN Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1073
HGTG11N120CN AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 5746
HGTG11N120CN ON Semiconductor 単一IGBT
HGTG11N120CN Rochester Electronics, LLC 単一IGBT
HGTG11N120CND Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 7970
HGTG11N120CND AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 9209

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HGTG18N120BN ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGTG18N120BN 参考価格. HGTG18N120BN パラメーター, HGTG18N120BN データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGTG18N120BN プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGTG18N120BN ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGTG18N120BN エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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