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HGTG30N60B3D 技術仕様

IGBT 600V 60A 208W TO247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 550µJ (on), 680µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
Base Part Number HGTG30N60
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 36ns/137ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 208W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
HGTG30N120CN Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 20017
HGTG30N120D2 Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 20000
HGTG30N60A4 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1394
HGTG30N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 12660
HGTG30N60A4 ON Semiconductor 単一IGBT
HGTG30N60A4D Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1374
HGTG30N60A4D AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 15465
HGTG30N60A4D ON Semiconductor 単一IGBT
HGTG30N60A4D G30N60A4D Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 591
HGTG30N60A4D IC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 375

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HGTG30N60B3D ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGTG30N60B3D 参考価格. HGTG30N60B3D パラメーター, HGTG30N60B3D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGTG30N60B3D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGTG30N60B3D ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGTG30N60B3D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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