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KSB811YTA
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KSB811YTA 技術仕様
TRANS PNP 25V 1A TO-92S
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Base Part Number | KSB811 |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-92S |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | 110MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
KSB811YTA 書類
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データシート
KSB811YTA.pdf
その他には以下が含まれます: "KSB81" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'KSB81'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
KSB810YTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2506 |
KSB810YTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2668 |
KSB811 | Original | 特殊なホットIC | 52500 |
KSB811GBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 0 |
KSB811GBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2782 |
KSB811GTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2798 |
KSB811GTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2710 |
KSB811OBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 0 |
KSB811OBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2631 |
KSB811OTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2524 |
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