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KSE801STU 技術仕様

TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
KSE800 FSC 特殊なホットIC 308
KSE800S Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2577
KSE800S AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
KSE800S ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
KSE800STSSTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2714
KSE800STSSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
KSE800STU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2680
KSE800STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 115
KSE800STU ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
KSE801STU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2609

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KSE801STU ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, KSE801STU 参考価格. KSE801STU パラメーター, KSE801STU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 KSE801STU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 KSE801STU ピン図と回路図と機能の使用方法、 KSE801STU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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