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MJD117-1G 技術仕様

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package I-Pak
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 25MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MJD112 Original 特殊なホットIC 218280
MJD112-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2663
MJD112-001 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
MJD112-001G ON 特殊なホットIC 3128
MJD112-1 MOTOLOR 特殊なホットIC 12811
MJD112-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5307
MJD112-1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
MJD112-1G/MJD117 ON/FAI 特殊なホットIC 2692
MJD112-RTF KEC 特殊なホットIC 3252
MJD112-RTF/P KEC 特殊なホットIC 3432

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MJD117-1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MJD117-1G 参考価格. MJD117-1G パラメーター, MJD117-1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MJD117-1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MJD117-1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MJD117-1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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