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MJD3055T4
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MJD3055T4 技術仕様
TRANS NPN 60V 10A DPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 2MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
MJD3055T4 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MJD3055T4
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データシート
MJD3055T4.pdf
その他には以下が含まれます: "MJD30" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MJD30'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MJD3055 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 36728 |
MJD3055 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJD3055 MOS | CJ | 特殊なホットIC | 527 |
MJD3055G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 1007 |
MJD3055G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJD3055T4 | STMicroelectronics | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 6079 |
MJD3055T4 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJD3055T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2214 |
MJD3055T4G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJD3055T4G MOS | LISION | 特殊なホットIC | 751 |
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