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MJE271G
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MJE271G 技術仕様
TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1500 @ 120mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1.2mA, 120mA |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 6MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
MJE271G 書類
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データシート
MJE271G.pdf
その他には以下が含まれます: "MJE27" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MJE270 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 650 |
MJE270 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE270G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 10545 |
MJE270G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE271 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2606 |
MJE271 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE271G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE271G | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ |
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MJE271G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MJE271G 参考価格. MJE271G パラメーター, MJE271G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MJE271G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MJE271G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MJE271G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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