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MJE5742G
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MJE5742G 技術仕様
TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 400mA, 8A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
MJE5742G 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MJE5730 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2772 |
MJE5730 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE5730G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 981 |
MJE5730G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE5731 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 425 |
MJE5731 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE5731A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2711 |
MJE5731A | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MJE5731AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 540 |
MJE5731AG | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ |
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MJE5742G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MJE5742G 参考価格. MJE5742G パラメーター, MJE5742G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MJE5742G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MJE5742G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MJE5742G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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