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MMBT2222LT1G 技術仕様

TRANS NPN 30V 0.6A SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MMBT200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 43709
MMBT200 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5253
MMBT200 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
MMBT200A Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 3353
MMBT200A AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 33602
MMBT200A/MMBT200 Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 3236
MMBT200LT1 ON 特殊なホットIC 3500
MMBT2131T1 ON 特殊なホットIC 18475
MMBT2131T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 3287
MMBT2131T1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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MMBT2222LT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MMBT2222LT1G 参考価格. MMBT2222LT1G パラメーター, MMBT2222LT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MMBT2222LT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MMBT2222LT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MMBT2222LT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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