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MMUN2217LT1G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 246mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MMUN2111 N/A 特殊なホットIC 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MMUN2111RLT1 LRC 特殊なホットIC 3500
MMUN2111RLT1G ON 特殊なホットIC 4270

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MMUN2217LT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MMUN2217LT1G 参考価格. MMUN2217LT1G パラメーター, MMUN2217LT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MMUN2217LT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MMUN2217LT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MMUN2217LT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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