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MUN2135T1G 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 230mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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MUN2111 ON 特殊なホットIC 3500
MUN2111LT1 ON 特殊なホットIC 52000
MUN2111LT1G ON 特殊なホットIC 2664
MUN2111T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 780
MUN2111T1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2111T1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 50220
MUN2111T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 279
MUN2111T3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2696

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MUN2135T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN2135T1G 参考価格. MUN2135T1G パラメーター, MUN2135T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN2135T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN2135T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN2135T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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