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MUN2213JT1G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 338mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MUN2211 LRC 特殊なホットIC 3300
MUN2211JT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2791
MUN2211JT1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2211JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3900
MUN2211JT1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2211JT1G Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2211RLT1 LRC 特殊なホットIC 9500
MUN2211T1 ON 特殊なホットIC 6360
MUN2211T1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN2211T1B AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 4524

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MUN2213JT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN2213JT1G 参考価格. MUN2213JT1G パラメーター, MUN2213JT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN2213JT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN2213JT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN2213JT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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