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MUN2232T1G
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MUN2232T1G 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 338mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-59 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN2232T1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MUN2232T1G
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データシート
MUN2232T1G.pdf
その他には以下が含まれます: "MUN22" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MUN22'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MUN2211 | LRC | 特殊なホットIC | 3300 |
MUN2211JT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2791 |
MUN2211JT1 | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN2211JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 3900 |
MUN2211JT1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN2211JT1G | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN2211RLT1 | LRC | 特殊なホットIC | 9500 |
MUN2211T1 | ON | 特殊なホットIC | 6360 |
MUN2211T1 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN2211T1B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 4524 |
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MUN2232T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN2232T1G 参考価格. MUN2232T1G パラメーター, MUN2232T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN2232T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN2232T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN2232T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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