MUN5111DW1T1G 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
MUN5111DW1T1 ON 特殊なホットIC 4000
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
MUN5111DWT1G ON 特殊なホットIC 2575
MUN5111LT1G ON 特殊なホットIC 3000
MUN5111T1 ON 特殊なホットIC 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 521
MUN5112 LRC 特殊なホットIC 69500

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MUN5111DW1T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN5111DW1T1G 参考価格. MUN5111DW1T1G パラメーター, MUN5111DW1T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN5111DW1T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN5111DW1T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN5111DW1T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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