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MUN5231DW1T1G
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MUN5231DW1T1G 技術仕様
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN5231DW1T1G 書類
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データシート
MUN5231DW1T1G.pdf
その他には以下が含まれます: "MUN52" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MUN52'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MUN5211 | ZXDZ | 特殊なホットIC | 15500 |
MUN5211DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 1164 |
MUN5211DW1T1 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5211DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2411 |
MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5211T1 | ON | 特殊なホットIC | 10800 |
MUN5211T1 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN5211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 115900 |
MUN5211T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN5211T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 9207 |
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MUN5231DW1T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN5231DW1T1G 参考価格. MUN5231DW1T1G パラメーター, MUN5231DW1T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN5231DW1T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN5231DW1T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN5231DW1T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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