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NGTB30N120L2WG 技術仕様

IGBT 1200V 60A 534W TO247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 450ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 310nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 116ns/285ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 534W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NGTB30N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 448
NGTB30N120FL2WG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB30N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2619
NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB30N120IHLWG Rochester Electronics, LLC 単一IGBT
NGTB30N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2526
NGTB30N120IHRWG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB30N120IHRWG Rochester Electronics, LLC 単一IGBT
NGTB30N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2773
NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor 単一IGBT

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NGTB30N120L2WG ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NGTB30N120L2WG 参考価格. NGTB30N120L2WG パラメーター, NGTB30N120L2WG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NGTB30N120L2WG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NGTB30N120L2WG ピン図と回路図と機能の使用方法、 NGTB30N120L2WG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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