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NGTB30N120LWG
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NGTB30N120LWG 技術仕様
IGBT 1200V 30A TO247
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 4.4mJ (on), 1mJ (off) |
Power - Max | 560W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 136ns/360ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 420nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
NGTB30N120LWG 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NGTB30N120LWG
-
データシート
NGTB30N120LWG.pdf
その他には以下が含まれます: "NGTB3" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NGTB3'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NGTB30N120FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 448 |
NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB30N120IHLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2619 |
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB30N120IHLWG | Rochester Electronics, LLC | 単一IGBT | |
NGTB30N120IHRWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2526 |
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB30N120IHRWG | Rochester Electronics, LLC | 単一IGBT | |
NGTB30N120IHSWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2773 |
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | 単一IGBT |
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