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NGTB50N120FL2WG
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NGTB50N120FL2WG 技術仕様
IGBT 1200V 100A 535W TO247
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 256ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 311nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Td (on/off) @ 25°C | 118ns/282ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 535W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
NGTB50N120FL2WG 書類
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データシート
NGTB50N120FL2WG.pdf
その他には以下が含まれます: "NGTB5" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NGTB5'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NGTB50N120FL2WAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2654 |
NGTB50N120FL2WAG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB50N60FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 13696 |
NGTB50N60FL2WG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB50N60FLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 600 |
NGTB50N60FLWG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB50N60FLWG | Rochester Electronics, LLC | 単一IGBT | |
NGTB50N60FWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2772 |
NGTB50N60FWG | ON Semiconductor | 単一IGBT |
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