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NJVMJD44H11D3T4G 技術仕様

IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Supplier Device Package DPAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 85MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
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NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2564
NJVMJB41CT4G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NJVMJB42CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2799
NJVMJB42CT4G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NJVMJB44H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2746
NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NJVMJB45H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 630
NJVMJB45H11T4G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NJVMJD112G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2791
NJVMJD112G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NJVMJD44H11D3T4G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NJVMJD44H11D3T4G 参考価格. NJVMJD44H11D3T4G パラメーター, NJVMJD44H11D3T4G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NJVMJD44H11D3T4G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NJVMJD44H11D3T4G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NJVMJD44H11D3T4G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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