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NRVB830MFST3G
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NRVB830MFST3G 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 8A |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacitance @ Vr, F | - |
NRVB830MFST3G 書類
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データシート
NRVB830MFST3G.pdf
その他には以下が含まれます: "NRVB8" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NRVB830MFST1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2629 |
NRVB830MFST1G | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
NRVB830MFST3G | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
NRVB860MFST1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2543 |
NRVB860MFST1G | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
NRVB860MFST3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2627 |
NRVB860MFST3G | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
NRVB8H100MFST1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2614 |
NRVB8H100MFST1G | ON Semiconductor | 単相ダイオード整流器 | |
NRVB8H100MFST3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2699 |
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輸送方法 | ||
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