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NSBA114TDP6T5G 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 408mW
Package / Case SOT-963
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-963
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA114EDXV6T1 ON 特殊なホットIC 5048

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NSBA114TDP6T5G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSBA114TDP6T5G 参考価格. NSBA114TDP6T5G パラメーター, NSBA114TDP6T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSBA114TDP6T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSBA114TDP6T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSBA114TDP6T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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