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NSBC123JDP6T5G 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 339mW
Package / Case SOT-963
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-963
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2569

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NSBC123JDP6T5G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSBC123JDP6T5G 参考価格. NSBC123JDP6T5G パラメーター, NSBC123JDP6T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSBC123JDP6T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSBC123JDP6T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSBC123JDP6T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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