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NSS1C200MZ4T3G 技術仕様

TRANS PNP 100V 2A SOT-223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSS1C200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 167438
NSS1C200LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS1C200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 35338
NSS1C200MZ4T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 7452
NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS1C200MZ4T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 3445
NSS1C200MZ4T3G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS1C200MZT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 12974
NSS1C201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5370
NSS1C201LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NSS1C200MZ4T3G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSS1C200MZ4T3G 参考価格. NSS1C200MZ4T3G パラメーター, NSS1C200MZ4T3G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSS1C200MZ4T3G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSS1C200MZ4T3G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSS1C200MZ4T3G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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