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NSS20500UW3T2G 技術仕様

TRANS PNP 20V 5A 3-WDFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type PNP
Power - Max 875mW
Package / Case 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 400mA, 4A
Supplier Device Package 3-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSS200-50 NAE IGBTモジュール 2512
NSS20101JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2231
NSS20101JT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS20101ST1G ON 特殊なホットIC 2663
NSS20200DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 393587
NSS20200LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS20200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 30306
NSS20200W6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2528
NSS20200W6T1G Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ

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NSS20500UW3T2G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSS20500UW3T2G 参考価格. NSS20500UW3T2G パラメーター, NSS20500UW3T2G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSS20500UW3T2G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSS20500UW3T2G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSS20500UW3T2G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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