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NSV40301MDR2G
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NSV40301MDR2G 技術仕様
TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 653mW |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
NSV40301MDR2G 書類
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データシート
NSV40301MDR2G.pdf
その他には以下が含まれます: "NSV40" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSV40200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 3237 |
NSV40200LT1G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
NSV40200LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 27246 |
NSV40200UW6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2549 |
NSV40200UW6T1G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
NSV40201LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 3468 |
NSV40201LT1G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
NSV40201LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 324 |
NSV40300MDR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | 2596 |
NSV40300MDR2G | ON Semiconductor | 配列 BJT トランジスタ |
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