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NSVBC818-40LT1G 技術仕様

TRANS NPN 25V 0.5A SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVBC114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 8344
NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSVBC114EPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 4000
NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSVBC114EPDXV6T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 4268
NSVBC114YDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2543
NSVBC114YDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSVBC114YPDXV65G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2692
NSVBC114YPDXV65G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSVBC114YPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2747

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NSVBC818-40LT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVBC818-40LT1G 参考価格. NSVBC818-40LT1G パラメーター, NSVBC818-40LT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVBC818-40LT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVBC818-40LT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVBC818-40LT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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