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NSVBSP19AT1G 技術仕様

TRANS NPN 350V 0.1A SOT223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 70MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
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NSVBSP19AT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSVBSS63LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2621
NSVBSS63LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NSVBSP19AT1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVBSP19AT1G 参考価格. NSVBSP19AT1G パラメーター, NSVBSP19AT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVBSP19AT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVBSP19AT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVBSP19AT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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